幾天前，SK 集團會長表示，客戶要求的供應量是目前的 4 到 5 倍，但到 2030 年，晶圓供應量只會成長 2 倍。
這讓我很感興趣，我想知道這個說法是否真的成立。這只是為了好玩，但我會盡量讓計算和假設貼近現實（看空的人還是會不喜歡，但事實就是如此），並從頭建立一個模型。
首先，我們來談談目前的供應量，以及它在未來 4 年內預期（以及可能）的成長情況。
到 2026 年底，四大廠商的 DRAM 產能將達到約 200 萬片/月（WPM）。我預期到 2030 年，這個數字會成長到 480 萬 WPM，主要由 1a、1b、1c、1d 製程組成。0a 製程可能會在 2030 年底或 2031 年問世。
Samsung
Samsung 在 2026 年底的 DRAM 產能約為 72 萬 WPM。
Samsung 將在 2027 年前於 P4 廠新增約 7 萬 WPM（總產能達 15 萬 WPM）。P5、P6 和 P5 Fab 2 是巨型晶圓廠，名目產能各為 30 萬 WPM，可同時支援 DRAM 和 NAND。Samsung 可能會以 2:1 的 DRAM/HBM 與 NAND 比例配置，即 DRAM 20 萬 WPM、NAND 10 萬 WPM。P5 廠將在 2028 年或 2029 年初全面量產。P6/P5 Fab 2 將在 2029 年或 2030 年初全面量產。Samsung 的龍仁 Fab 1 廠到 2030 年將擁有約 15 萬至 20 萬 WPM 的 DRAM 產能。我預期 Samsung 和韓國政府會加速開發西南/光州 Fab 1 第一階段，並在 2030 年前達到至少 6 萬 WPM 的產能。我預期 Samsung 在 2027 年至 2030 年間將新增約 68 萬至 73 萬 WPM 的 DRAM 產能，使其總 DRAM 產能達到 140 萬至 145 萬 WPM。
SK Hynix
SK Hynix 在 2026 年底的 DRAM 產能約為 59 萬 WPM。
SK Hynix 將在 M15X 廠新增約 5 萬 WPM（總計 9 萬 WPM）。其龍仁 Y1 巨型晶圓廠將擁有 6 個無塵室，每個支援 6 萬 WPM 的 DRAM 產能。我預期他們會加快龍仁 Y2 巨型晶圓廠的開發，並在 2030 年前準備好至少 2 個無塵室（每個產能 6 萬 WPM）。我也預期 SK Hynix 和韓國政府會加速西南/光州 Fab 1 第一階段的開發，並在 2030 年前達到至少 6 萬 WPM 的產能。我預期 SK Hynix 到 2030 年將新增約 59 萬 WPM 的產能，基本上將總產能翻倍至 118 萬 WPM。
Micron
Micron 在 2026 年底的 DRAM 產能約為 37.5 萬 WPM。
Micron 將把廣島廠的產能提升至 15 萬 WPM，並將馬納薩斯廠（舊 D1a 製程）提升至 3 萬 WPM。Micron 的愛達荷 Fab 1 廠將擁有約 8 萬 WPM 的 DRAM 產能，愛達荷 Fab 2 廠也將擁有約 8 萬 WPM 的 DRAM 產能。PSMC 銅鑼 Fab 1 廠將新增約 4.5 萬 WPM，Fab 2 廠將再新增 4 萬至 4.5 萬 WPM。我預期他們會加快紐約巨型晶圓廠的開發，並在 2030 年前準備好至少 2 個無塵室，每個貢獻 5 萬 WPM 的產能。Micron 到 2030 年將新增約 40 萬至 40.5 萬 WPM 的產能，總 DRAM 產能將達到約 77.5 萬至 78 萬 WPM。
CXMT 與中國
CXMT 在 2026 年底的 DRAM 產能約為 35 萬 WPM。
中國的模型化難度更高，而且最有潛力增加最多產能，主要是因為其無塵室建造時間約為 12 個月，而世界其他地區則需要 21 到 24 個月。對 CXMT 和 YMTC 來說，資金不是問題。由於記憶體晶圓廠的投資報酬率現在非常高，融資變得極其容易，銀行和各種國家基金都會參與。情況也變得更加複雜，因為中國政府正強制 CXMT 將其 DRAM 技術轉移給 JHICC、Swaysure 和 YTMC 的子公司 XMC，以緩解短缺問題。Swaysure 剛剛完成了其在深圳的 14 萬 WPM 廠房建設，而 JHICC 的晉江廠房擁有足夠的無塵室空間容納 12 萬 WPM。儘管到 2026 年底只會完成第一階段（6 萬 WPM）並移入設備。YMTC 在武漢 Fab 3 廠將擁有約 5 萬 WPM 的 DRAM 產能。坦白說，中國在擴大產能時最大的限制是光刻機的可用性。如果《匹配法案》（MATCH Act）通過且 DUV 銷售被禁止，那麼這將打亂 CXMT 和中國的記憶體擴張計畫。但 SMEE 的 DUVi 去年已出貨給 CXMT 和中芯國際（SMIC），且 Beta 測試即將結束，預計從 2026 年底或 2027 年初開始量產。御兩升/新凱來（SiCarrier）的 DUVi 預計在 2028 年進入量產。我不認為在 2028 年之後，光刻技術會成為邏輯晶片（5nm/7nm+）和記憶體（D1a/D1b/D1z）的限制因素，但《匹配法案》肯定會打亂近期的計畫。Citrini Research 幾天前發布了一份關於中國記憶體的精彩報告（Citrini.com），可以去看看。
考慮到以上情況，我的中國模型將有一個很大的區間。最低限度，CXMT 預計將擴張到合肥 Fab 3 廠（10 萬 WPM），甚至可能開發 Fab 4 廠（10 萬 WPM）。上海廠預計將從 5 萬 WPM 擴張到 2030 年的 40 萬 WPM（有傳聞說會到 60 萬 WPM）。北京廠預計將擴張到 20 萬 WPM（有傳聞說會到 40 萬 WPM）。上海廠的 60 萬 WPM 和北京廠的 40 萬 WPM 將在很大程度上取決於中國的運算需求以及 CXMT 的 HBM 成熟度。CXMT 正在開發一條新的研發線，這將在合肥 Fab 1 和 Fab 2 廠釋放出總計約 5 萬 WPM 的產能。CXMT 有可能增加 60 萬至 110 萬 WPM 的 DRAM 產能，總產能達到約 95 萬至 145 萬 WPM。儘管這些產能大部分將是 D1a、D1b，也許在 3D DRAM 的幫助下，有大約 10 萬至 15 萬 WPM 的 D1c 產能。YMTC 的計畫一直到 Fab 8 廠，他們正在快速上線更多無塵室（更多資訊請參考 Citrini.com 的文章）。我預期他們會再建造一個 5 萬 WPM 的 DRAM 設施，但要確定其上行潛力極其困難。YMTC 的 DRAM 產能很可能達到 20 萬 WPM。Swaysure 和 JHICC 有華為的支持，並直接向華為供應 DRAM。華為有巨大的投資動機。最低限度，他們到 2030 年將擁有 26 萬 WPM 的 DRAM 產能。上行潛力難以確定，因為新凱來/御兩升也是一家整合型晶圓廠設備（WFE）製造商，因此他們對 WFE 稀缺性的敏感度較低。
需求
將所有產能加總起來，我們得到約 480 萬 WPM（基本情境）的 DRAM 產能。如果中國完全不受限制，且 CXMT 的 HBM 路線圖執行良好，這個數字可能高達 568 萬 WPM。Elon 的 Terafab、Samsung 和 SK Hynix 在美國的投資並未包含在內。我個人認為，他們在美國的投資將集中在 HBM 封裝上，而不是記憶體晶圓廠，以此換取韓國半導體免關稅。HBM 晶圓將從韓國流入，在他們的美國封裝廠進行堆疊，然後送往台積電（TSMC）的亞利桑那州廠。
現在進入有趣的部分。預計到 2030 年，加速器銷量將達到 3000 萬個。我預期其中 1500 萬個加速器平均配備 1TB 的 HBM4e，另外 1500 萬個加速器平均配備 1.5TB 的 HBM5。總需求將是 15EB 的 HBM4e 和 22.5EB 的 HBM5。代理型 CPU（頭節點 + 獨立）預計將達到 1:1 的 CPU 與 GPU 比例，每個 CPU 約有 2.5 TB 的 DDR6 記憶體。這將產生約 75EB 的需求。通用雲端/IaaS CPU 銷量也將成長到每年 2500 萬個（高於 2026 年的 2000 萬個）。它們平均將配備 1 TB 的 DDR6 記憶體，構成約 25EB 的需求。消費級 DRAM 需求在 2026 年約為 17 至 18 EB。我預期到 2030 年將成長到 20EB（儘管這種成長水準意味著 AI PC/智慧型手機未能起飛，它們將不得不與 AI 資料中心爭奪供應。我認為它們贏不了）。因此，到 2030 年，總需求為 157.5 EB（75EB + 25EB + 22.5EB + 15EB + 20EB）。
如你所見，我並未將實體 AI（人形機器人和自動駕駛汽車）的 DRAM 需求納入模型，因此即使我對資料中心和 AI 需求的估計過高（其實並沒有），也會被實體 AI 的需求所平衡。ASML 對 2030 年 DRAM 需求的預測約為 130EB（26% 的年複合成長率）。2025 年的供應量約為 37EB，預計到 2026 年將成長到 44EB。
供應假設
首先，我們來談談節點密度。D1a = 0.32 Gb/mm²，D1b = 0.43 Gb/mm²，D1c = 0.56 Gb/mm²，D1d = 0.7 Gb/mm²。我不預期在 2030 年之前有任何有意義的 0a 製程產量，所以我們將其排除。在我們 480 萬 WPM 的情境中，我預期 250 萬 WPM 將專用於 D1c 以支援 HBM4e/5（三大廠的 250 萬 WPM），60 萬 WPM 專用於 D1d，87 萬 WPM 專用於 D1a（Swaysure/JHICC 的 26 萬 WPM、Micron 的 3 萬 WPM、CXMT 的 40 萬 WPM、SK Hynix 無錫廠的 18 萬 WPM），70 萬 WPM 專用於 D1b（CXMT 的 40 萬 WPM、YMTC 的 20 萬 WPM、Samsung 的 10 萬 WPM），而 CXMT 可能透過 3D DRAM 擁有約 15 萬 WPM 的 D1c 產能。
你可能知道，HBM 晶片比同等容量的 DDR5 晶片大約大 35% 到 45%，因為 TSV 和超寬 I/O 消耗了更多的矽面積。每個晶圓上能容納的晶片更少，而且 TSV 處理和堆疊過程會大幅降低淨良率。綜合來看，要為 HBM3E 提供相同數量的良好記憶體位元，大約需要 2.7 倍的有效 DRAM 晶圓產能。對於 HBM4E，這個倍數會增加到 4 倍，而對於 HBM5，由於介面寬度從 2048 翻倍到 4096，這個倍數會更高。但為了簡化起見，我們只考慮 4 倍的乘數。
Micron
在 95% 的 D1c 良率下，我們每年需要約 3191 萬次的晶圓啟動量，即 266 萬 WPM 的 D1c 產能，才能生產約 37.5 EB 的 HBM4E 和 HBM5。我預期三大廠會分配約 250 萬 WPM 的產能，而 Samsung 可以將其 10 萬 WPM 的 D1b 產能轉換為 D1c。
在 85% 的 D1d 良率和 60 萬 WPM 產能下，每月可生產 3.15 EB，即每年 37.85 EB。在 70% 的 D1b 良率和 60 萬 WPM 產能（CXMT + YMTC）下，每月可生產 1.596 EB，即每年 19.14 EB。在 95% 的 D1b 良率和 10 萬 WPM 產能下，每月可生產 0.36 EB，即每年 4.3 EB。在 80% 的 D1a 良率和 66 萬 WPM 產能（CXMT 40 萬 WPM、JHICC 12 萬 WPM、其他 14 萬 WPM）下，每月可生產 1.493 EB，即每年 17.91 EB 的 DRAM。在 95% 的良率和 21 萬 WPM 產能（SK Hynix 無錫廠 18 萬 WPM、Micron 馬納薩斯廠 3 萬 WPM）下，每月可生產 0.564 EB，即每年 6.77 EB 的 DRAM。在 60% 的 D1c 良率和 15 萬 WPM 產能（CXMT 3D DRAM）下，每月可生產 0.445 EB，即每年 5.34 EB 的 DRAM。將所有這些加總起來，我們得到每年約 91.31 EB 的通用 DRAM 供應量，而 DRAM 需求為每年 120 EB。
有一種可能性（至少是傳聞），中國可以更快擴張，CXMT 將上海廠擴張到 60 萬 WPM，北京廠擴張到 40 萬 WPM，並建造合肥 Fab 4 廠。YMTC 在 Fab 7 和 Fab 8 廠各增加 5 萬 WPM 的 DRAM 產能。JHICC 將實施其 Fab 2 廠計畫（12 萬 WPM），而 Swaysure 將再建造一座 14 萬 WPM 的晶圓廠。這將再增加 86 萬 WPM 的 D1b 產能，在 70% 的良率下，這將是每年約 27.54 EB 的 DRAM 產能。這將使 DRAM 市場從 28.69 EB 的缺口轉變為 1.19 EB 的缺口。但你可能已經注意到，我並沒有真正談論中國的 HBM 需求（CXMT 上海和北京廠以及 YMTC/XMC 產能的擴張在很大程度上取決於此）。我預期中國每年至少有 7 EB 到 10 EB 的 HBM 需求，而這額外的 86 萬 WPM 可以供應每年約 7 EB 的需求。
影響
你可能看得出來，這對 WFE 需求極為有利，也是帶來約 280 萬至 366 萬 WPM 增量 DRAM 供應的最大限制因素。其次，中國也將進入西方伺服器 DRAM 供應鏈，因為三大廠的絕大部分晶圓產能（70%）將用於滿足 HBM 需求，除非它們擴張得更快。（我已經將三大廠的加速擴張納入考量）
2030 年 DRAM 市場規模
我預期通用 DRAM 市場將出現 25% 的缺口。每年 91 EB 的供應量對比每年 120 EB 的需求量。DRAM 平均售價（ASP）將維持在高檔，並可能保持在每 Gb 1.5 美元至 2.0 美元的範圍內。到 2030 年，HBM 定價可能達到每 Gb 5 美元至 6 美元。基於此，通用 DRAM 市場規模將約為 1.10 兆美元 至 1.46 兆美元，而 HBM 市場規模將約為 1.50 兆美元 至 1.80 兆美元。總 DRAM 市場規模將約為 2.60 兆美元 至 3.26 兆美元（中位數為 2.93 兆美元）。如果 ASP 進一步上升，市場規模將進一步擴大。
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